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安徽合肥长鑫存储实现我国内存芯片量产技术突破

原标题:安徽合肥长信内存在中国大规模生产内存芯片取得技术突破

证券时报电子公司新闻。近日,位于合肥的总投资约1500亿元人民币的长新内存芯片自主制造项目已经宣布投产。与国际主流动态随机存取存储器产品同步的第一代10纳米8Gb DDR4首次亮相,设计容量为每月12万片。 这表明中国在存储芯片领域的大规模生产技术上取得了突破,并拥有这一关键战略组件的独立能力。 (新华视点)重返搜狐,查看更多

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2019-10-23 14:59

Source : Securities Times

原标题:安徽合肥长信内存在中国大规模生产内存芯片取得技术突破

证券时报电子公司新闻。近日,位于合肥的总投资约1500亿元人民币的长新内存芯片自主制造项目已经宣布投产。与国际主流动态随机存取存储器产品同步的第一代10纳米8Gb DDR4首次亮相,设计容量为每月12万片。 这表明中国在存储芯片领域的大规模生产技术上取得了突破,并拥有这一关键战略组件的独立能力。 (新华视点)重返搜狐,查看更多

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